IRLR2905ZTRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:50A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:11mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應(yīng)管(MOSFET),具備60V的漏源耐壓(VDSS)和50A的連續(xù)漏極電流(ID)能力,導(dǎo)通電阻(RDON)低至11mΩ,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換與功率控制場景。器件采用成熟工藝制造,具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,可廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)中,滿足高頻開關(guān)與低損耗設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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