SI2399DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:30mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20V漏源電壓（VDSS）和5A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為30毫歐，適用于中低功率電源管理應(yīng)用。器件基于成熟半導(dǎo)體工藝打造，具備良好的熱穩(wěn)定性與快速響應(yīng)特性，適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池供電設(shè)備及各類中小型功率電路中，實現(xiàn)高效的能量控制與穩(wěn)定的系統(tǒng)運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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