SI2399DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:30mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具備20V漏源電壓（VDSS）和5A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為30毫歐，適用于中低功率電源管理應用。器件基于成熟半導體工藝打造，具備良好的熱穩定性與快速響應特性，適合用于DC-DC轉換、負載開關、電池供電設備及各類中小型功率電路中，實現高效的能量控制與穩定的系統運行。
