SI2399DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:30mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管(MOSFET)具備20V漏源電壓(VDSS)和5A連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDON)僅為30毫歐,適用于中低功率電源管理應用。器件基于成熟半導體工藝打造,具備良好的熱穩定性與快速響應特性,適合用于DC-DC轉換、負載開關、電池供電設備及各類中小型功率電路中,實現高效的能量控制與穩定的系統運行。
