PMV33UPE-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:30mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具有20V漏源耐壓（VDSS），可持續通過5A漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至30毫歐，表現出優異的導通性能與較低的功率損耗。器件適用于各類中低功率電源管理系統，如DC-DC轉換器、負載開關、電池管理電路及便攜式電子設備中的功率控制單元，可滿足高效能、小型化電路設計需求，提供穩定可靠的開關與導通表現。
