DMG3407SSN-7-HXY_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:42mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
本產(chǎn)品為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET），適用于多種電源管理與模擬開關(guān)應(yīng)用場景。其漏極電流ID可達(dá)4.1A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON為42mΩ，具備良好的導(dǎo)通性能與開關(guān)響應(yīng)特性。器件設(shè)計(jì)兼顧效率與穩(wěn)定性，適合用于電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品、DC-DC轉(zhuǎn)換電路及各類低功率電源管理系統(tǒng)中，為電路提供高效、可靠的控制與傳輸路徑。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
