DMG3407SSN-7-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.1A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:42mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于多種電源管理與模擬開關應用場景。其漏極電流ID可達4.1A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為42mΩ，具備良好的導通性能與開關響應特性。器件設計兼顧效率與穩定性，適合用于電池供電設備、便攜式電子產品、DC-DC轉換電路及各類低功率電源管理系統中，為電路提供高效、可靠的控制與傳輸路徑。
