DMG3407SSN-7-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4.1A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:42mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道增強型場效應管(MOSFET),適用于多種電源管理與模擬開關應用場景。其漏極電流ID可達4.1A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON為42mΩ,具備良好的導通性能與開關響應特性。器件設計兼顧效率與穩定性,適合用于電池供電設備、便攜式電子產品、DC-DC轉換電路及各類低功率電源管理系統中,為電路提供高效、可靠的控制與傳輸路徑。
