PMV100XPEA215-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:3A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:100mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管(MOSFET)為P溝道增強型器件,適用于低電壓功率控制場合。其主要參數包括:漏極電流ID為3A,漏源電壓VDSS為20V,導通電阻RDON為100mΩ,適合用于電池供電設備及小型電源管理系統。該器件具備較好的開關響應速度和熱穩定性,可廣泛應用于便攜式電子產品、LED驅動電路、負載開關以及各類低功耗控制模塊中。其封裝形式靈活,便于實現緊湊化電路設計與良好散熱效果。
