PMV100XPEA215-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款場效應(yīng)管（MOSFET）為P溝道增強型器件，適用于低電壓功率控制場合。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為3A，漏源電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON為100mΩ，適合用于電池供電設(shè)備及小型電源管理系統(tǒng)。該器件具備較好的開關(guān)響應(yīng)速度和熱穩(wěn)定性，可廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品、LED驅(qū)動電路、負(fù)載開關(guān)以及各類低功耗控制模塊中。其封裝形式靈活，便于實現(xiàn)緊湊化電路設(shè)計與良好散熱效果。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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