SP8K33FRATB-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本場效應(yīng)管（MOSFET）采用NN溝道結(jié)構(gòu)，具有良好的導(dǎo)通特性和開關(guān)性能。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為6.5A，漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON為32mΩ，適用于中功率電源轉(zhuǎn)換與控制應(yīng)用。該器件可在高頻條件下穩(wěn)定運(yùn)行，降低能量損耗，提升系統(tǒng)效率。常用于電源管理模塊、DC-AC逆變器、電機(jī)驅(qū)動電路及智能充電設(shè)備中的功率控制部分。其封裝形式靈活，便于在多種電路環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高效布板和良好散熱。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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