SQ4946CEY-T1_GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6.5A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:32mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款NN溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為6.5A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON為32mΩ。采用雙溝道結構設計，支持雙向功率控制，適用于多種中低壓電路應用場景。該器件常用于電源管理系統、電池充放電控制、DC-AC轉換電路以及各類便攜式電子設備中的功率調節模塊，具備良好的熱穩定性與動態響應性能，可滿足多樣化電路設計需求。
