SI4151DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOP-8 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:15A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:5.8mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有30V的漏源耐壓(VDSS),可承受連續(xù)漏極電流(ID)達(dá)15A,導(dǎo)通電阻(RDON)低至5.8mΩ,有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。該器件采用先進(jìn)工藝制造,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于各類電源管理、開(kāi)關(guān)電路及負(fù)載控制等場(chǎng)景。其P溝道結(jié)構(gòu)在邏輯電平驅(qū)動(dòng)和低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是多種高性能電子設(shè)備的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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