HAT2199R-EL-E-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:8.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備良好的電性能與導(dǎo)通能力，適用于多種電源管理和功率控制電路。器件最大漏極電流ID為8.5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于中低功率應(yīng)用場(chǎng)景。導(dǎo)通電阻RDON僅為14毫歐，有助于降低能量損耗并提升整體系統(tǒng)效率。該MOSFET采用通用封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，可廣泛用于消費(fèi)電子、智能家電、通信設(shè)備及高效能直流電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，滿足多樣化電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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