HAT2199R-EL-E-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備良好的電性能與導通能力，適用于多種電源管理和功率控制電路。器件最大漏極電流ID為8.5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于中低功率應用場景。導通電阻RDON僅為14毫歐，有助于降低能量損耗并提升整體系統效率。該MOSFET采用通用封裝形式，具備良好的熱穩定性和耐用性，可廣泛用于消費電子、智能家電、通信設備及高效能直流電源轉換系統中，滿足多樣化電路設計需求。
