FDS6690S-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源電壓（VDSS）和8.5A的最大連續漏極電流（ID），適用于多種中高功率電路設計。導通電阻（RDON）為14毫歐，有助于降低導通損耗，提高系統整體效率。器件采用N溝道結構，具備快速開關響應和良好驅動能力，適合應用于電源管理、DC-DC轉換、充電控制及LED照明等場景。其優異的電氣性能和穩定的運行表現，使其可廣泛用于消費類電子產品與便攜設備中。
