SI3400A-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）僅為28毫歐，能夠有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件適用于中高功率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如DC-DC變換器、同步整流電路、電池管理及負(fù)載開關(guān)等場景。其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和快速響應(yīng)特性，使其在高密度電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出良好的可靠性與性能一致性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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