SI4936BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:25mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NN溝道場效應管（MOSFET），漏極連續電流ID為6A，漏源電壓VDSS達30V，適用于多種中低功率電路設計。導通電阻RDON為25mΩ，有助于減少導通狀態下的能量損耗，提升系統整體效率。該器件采用雙溝道結構，具備良好的熱穩定性和抗干擾能力，適用于電源轉換器、電池保護電路、負載開關及便攜式電子設備中的功率控制應用，性能可靠，響應速度快，能夠滿足多樣化電子系統的設計需求。
