SH8K15TB1-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:8.5A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:17mR 參數4:溝道類型:N+N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管(MOSFET)采用NN溝道結構,具備雙向導通能力,適用于多種功率控制與開關應用。其漏極電流ID為8.5A,漏源電壓VDSS為30V,支持中低電壓場景下的穩定工作。導通電阻RDON低至17mΩ,有效降低導通損耗,提升整體系統效率。該器件適合用于電源管理、電池充放電控制、電機驅動及高頻率開關電路,具備良好的熱穩定性和響應速度,可滿足消費類電子與通信設備對高性能功率器件的需求。
