SH8K15TB1-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具備雙向導通能力，適用于多種功率控制與開關應用。其漏極電流ID為8.5A，漏源電壓VDSS為30V，支持中低電壓場景下的穩定工作。導通電阻RDON低至17mΩ，有效降低導通損耗，提升整體系統效率。該器件適合用于電源管理、電池充放電控制、電機驅動及高頻率開關電路，具備良好的熱穩定性和響應速度，可滿足消費類電子與通信設備對高性能功率器件的需求。
