SH8K3TB1-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具備優良的開關特性和導通能力。其漏源電壓VDSS為30V，最大漏極電流ID可達8.5A，適用于多種中低功率應用場景。導通電阻RDON僅為17mΩ，可有效減少導通損耗，提高整體效率。該器件適用于電源管理、DC-DC轉換器、電池保護電路以及各類便攜式電子設備中的高頻開關電路，性能穩定，兼容性強，能夠滿足多樣化電路設計的需求。
