STS8DN3LLH5-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，支持雙向導通與高效開關操作。其最大漏極電流ID為8.5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于中低功率電源系統。17mΩ的超低導通電阻（RDON）顯著減少導通損耗，提高整體效率。該器件可廣泛應用于便攜式電源管理、DC-DC轉換電路、電池保護模塊及高密度電子設備中，提供穩定可靠的電力控制性能，滿足對效率與尺寸雙重要求的應用場景。
