SI4214DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具備良好的導通特性和開關響應。其最大漏極電流ID為8.5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于中等功率電路設計。器件導通電阻RDON僅為17mΩ，有效降低導通損耗，提高整體效率。該產品可廣泛應用于電源轉換、便攜式電子設備及高性能計算模塊等場景，滿足高效、小型化電路系統的設計需求。
