SI4804CDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管（MOSFET）為NN溝道組合結構，具備優良的導通性能與快速開關特性。其漏極電流能力為8.5A，漏源電壓耐受值為30V，適用于多種中高功率電路應用場景。17mΩ的低導通電阻（RDON）顯著降低了導通損耗，提高了系統整體效率。該器件適合用于電源管理模塊、消費類電子產品及便攜式智能設備中的功率控制電路，滿足高效能與小型化設計需求。
