SI4804CDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:8.5A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:17mR 參數(shù)4:溝道類型:N+N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本場效應(yīng)管(MOSFET)為NN溝道組合結(jié)構(gòu),具備優(yōu)良的導(dǎo)通性能與快速開關(guān)特性。其漏極電流能力為8.5A,漏源電壓耐受值為30V,適用于多種中高功率電路應(yīng)用場景。17mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDON)顯著降低了導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)整體效率。該器件適合用于電源管理模塊、消費(fèi)類電子產(chǎn)品及便攜式智能設(shè)備中的功率控制電路,滿足高效能與小型化設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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