DMT3009UFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于多種中等電壓應用場景。其導通電阻（RDON）僅為9毫歐，顯著降低了導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件采用通用型封裝，具備良好的散熱性能與電氣穩定性，適合用于電源轉換、負載開關、電池管理系統以及各類高頻開關電路中，為高效、緊湊的電子設計提供有力支持。
