SI4214DDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款NN溝道場效應管（MOSFET）采用雙柵極結構，單個通道的連續漏極電流（ID）為8.5A，漏源電壓（VDSS）為30V，適用于中低功率開關應用。其導通電阻（RDON）為17毫歐，有助于降低導通損耗，提升系統效率。器件集成于緊湊封裝內，具備良好的熱穩定性和電氣性能，適合用于DC-DC轉換器、電源管理模塊、負載開關及便攜式電子設備中的高頻開關電路，為多樣化電子系統設計提供高效、可靠的解決方案。
