SI4214DDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:8.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:17mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款NN溝道場效應(yīng)管（MOSFET）采用雙柵極結(jié)構(gòu)，單個通道的連續(xù)漏極電流（ID）為8.5A，漏源電壓（VDSS）為30V，適用于中低功率開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDON）為17毫歐，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件集成于緊湊封裝內(nèi)，具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣性能，適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊、負(fù)載開關(guān)及便攜式電子設(shè)備中的高頻開關(guān)電路，為多樣化電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供高效、可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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