FDD5690-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源耐壓（VDSS），適用于多種中高功率應用場景。其導通電阻（RDON）低至22mΩ，可有效減少導通損耗，提高整體效率。器件結構設計優化，具備良好的熱穩定性和耐用性，適合用于電源轉換、開關控制、電池管理及各類電子設備中的功率電路部分。參數配置兼顧性能與實用性，適用于廣泛領域的非特定通用型功率應用場合。
