STD30NF06T4-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具備30A連續漏極電流（ID）與60V漏源電壓（VDSS），適用于多種功率開關場景。導通電阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低能耗并提升電路效率。器件采用成熟封裝工藝，具備良好的散熱性能與長期穩定性，適合應用于電源供應器、電池充放電管理、直流電機控制及各類中高功率電子系統中的開關單元。其參數設計兼顧實用性與兼容性，可滿足多樣化非特定領域的使用需求。
