STD30NF06T4-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30A連續(xù)漏極電流（ID）與60V漏源電壓（VDSS），適用于多種功率開關(guān)場景。導(dǎo)通電阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低能耗并提升電路效率。器件采用成熟封裝工藝，具備良好的散熱性能與長期穩(wěn)定性，適合應(yīng)用于電源供應(yīng)器、電池充放電管理、直流電機(jī)控制及各類中高功率電子系統(tǒng)中的開關(guān)單元。其參數(shù)設(shè)計兼顧實用性與兼容性，可滿足多樣化非特定領(lǐng)域的使用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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