FDD26AN06A0-F085-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有60V的漏源電壓（VDSS）和30A的連續漏極電流（ID），適合中高功率應用。其導通電阻（RDON）低至22毫歐，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用標準封裝，具備良好的熱穩定性和耐用性，適用于電源管理、開關電路、電機控制及各類嵌入式系統設計，為電路中的高頻切換與高效能運作提供可靠支持。
