AUIRLR2905TRL-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:30A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:22mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(MOSFET),具備30A連續(xù)漏極電流(ID)和60V漏源擊穿電壓(VDSS)的電氣特性,適用于中高功率場合。導(dǎo)通電阻(RDON)低至22mΩ,有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合用于電源管理、開關(guān)電路、負(fù)載控制及各類電子設(shè)備中的電能轉(zhuǎn)換模塊。其參數(shù)設(shè)計兼顧性能與通用性,可滿足多種非特定領(lǐng)域應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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