IPD30N06S3-24-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率場景。導(dǎo)通電阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適合用于電源管理、開關(guān)電路、電機(jī)控制及LED驅(qū)動(dòng)等多種電子設(shè)備中，為電路設(shè)計(jì)提供可靠的基礎(chǔ)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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