IPD30N06S3-24-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率場景。導通電阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件采用標準封裝，具備良好的熱穩定性和耐用性，適合用于電源管理、開關電路、電機控制及LED驅動等多種電子設備中，為電路設計提供可靠的基礎支持。
