DMP2070U-13-HXY_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:34mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20V的漏源耐壓（VDSS），可承受連續(xù)漏極電流（ID）達4.1A，導通電阻（RDON）低至34毫歐。該參數(shù)組合使其在中低功率電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適用于各類便攜式電子設(shè)備、消費類電子產(chǎn)品及小型電源轉(zhuǎn)換裝置中的高效開關(guān)控制。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于需要緊湊布局和高效能表現(xiàn)的電路設(shè)計場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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