SI2343DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:45mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具有4.2A連續漏極電流（ID）和30V漏源電壓（VDSS）的額定值，導通電阻（RDON）低至45毫歐，可有效提升電路效率并降低溫升。器件適用于各類中低功率電源轉換與控制場合，如便攜式電子產品、智能控制模塊、通信設備及家用電器中的電源管理單元，提供穩定可靠的開關性能。
