SI2343DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:4.2A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:45mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本P溝道場效應管(MOSFET)具有4.2A連續(xù)漏極電流(ID)和30V漏源電壓(VDSS)的額定值,導通電阻(RDON)低至45毫歐,可有效提升電路效率并降低溫升。器件適用于各類中低功率電源轉(zhuǎn)換與控制場合,如便攜式電子產(chǎn)品、智能控制模塊、通信設(shè)備及家用電器中的電源管理單元,提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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