SI1317DL-T1-GE3-HXY_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:1.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于多種低功率電源管理與開關控制應用。其主要參數包括：漏極電流ID為1.8A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為120mΩ，能夠在較低功率環境下實現穩定的開關性能。該器件具備良好的熱穩定性和封裝兼容性，適用于各類消費類電子產品中的電源切換、負載控制、電池供電設備及便攜式充電裝置等應用場景。
