FDD6688S-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道增強型場效應管（MOSFET）具有優異的電學性能與穩定的表現。其漏極電流ID可達100A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中高功率電源管理應用。導通電阻RDON低至3.8mΩ，有效降低功率損耗，提升系統效率。器件設計優化，具備良好的熱管理能力和可靠性，適合用于高效電源轉換、電池管理系統、大電流開關控制等場景，能夠滿足對性能和穩定性有較高要求的電子設計方案。
