DMN2041UVT-13-HXY_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-6L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:6A 參數(shù)2:電壓VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:22mR 參數(shù)4:溝道類型:N+N 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為NN溝道增強型場效應管(MOSFET),采用雙通道設計,具備良好的導通特性和開關響應。單通道漏極電流ID可達6A,漏源擊穿電壓VDSS為20V,導通電阻RDON為22mΩ,支持并聯(lián)使用以滿足更高電流需求。器件適用于高密度電源管理系統(tǒng)、便攜式電子設備、電池供電系統(tǒng)及小型化DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景,提供高效、穩(wěn)定的功率控制性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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