DMN2041UVT-13-HXY_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NN溝道增強型場效應管（MOSFET），采用雙通道設計，具備良好的導通特性和開關響應。單通道漏極電流ID可達6A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為22mΩ，支持并聯使用以滿足更高電流需求。器件適用于高密度電源管理系統、便攜式電子設備、電池供電系統及小型化DC-DC轉換器等場景，提供高效、穩定的功率控制性能。
