SUD50N03-06AP-E3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3.8mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道增強型場效應管(MOSFET)具有出色的導通與開關性能。其漏極電流ID為100A,漏源電壓VDSS為30V,適用于中高功率電源系統設計。導通電阻RDON低至3.8mΩ,顯著減少導通損耗,提高整體效率。器件結構優化,具備良好的熱穩定性和耐用性,適用于高效DC-DC轉換器、電池保護電路及大電流開關等應用場景,可滿足對性能和可靠性有較高要求的電子系統需求。
