STD96N3LLH6-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備優異的電氣性能與穩定性。其主要參數包括：最大漏極電流ID為100A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至3.8mΩ，有效降低功率損耗并提升系統效率。適用于高密度電源轉換設計，如同步整流、DC-DC變換器及電源管理模塊等場景。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱管理和可靠性，滿足多樣化電子設備對高效能、小型化的需求。
