STD86N3LH5-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備優(yōu)異的導通性能與開關特性。其漏極電流ID可達100A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中高功率電源管理系統(tǒng)。導通電阻RDON低至3.8mΩ，有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合應用于高效電源轉換器、負載開關及電池管理等領域，滿足對性能與穩(wěn)定性有較高要求的設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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