IRLR7833TRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的最大漏極電流ID和30V的漏源擊穿電壓VDSS，導通電阻RDON低至3.8mΩ，具備優異的導電性能與較低的開關損耗。器件采用先進工藝制造，確保在高負載條件下仍能保持穩定工作。適用于各類高性能電源系統、同步整流電路、DC-DC轉換器及電池管理電路等應用場合，能夠滿足對效率與可靠性要求較高的設計方案需求。
