SMIRF7N65T9RL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:7A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:1200mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有650V的漏源擊穿電壓(VDSS)和7A的額定漏極電流(ID),適用于高電壓和中功率應用場景。導通電阻(RDON)為1200mΩ,能夠在開關過程中有效降低導通損耗,提高系統效率。該器件采用標準封裝形式,具備良好的熱穩定性和可靠性,適合用于電源轉換、電機控制、LED驅動及高性能開關電路中。其參數設計兼顧性能與功耗,是一款適用于多種通用高性能電子設備的理想選擇。
