SMIRF7N65T9RL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:1200mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和7A的額定漏極電流（ID），適用于高電壓和中功率應用場景。導通電阻（RDON）為1200mΩ，能夠在開關過程中有效降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于電源轉換、電機控制、LED驅動及高性能開關電路中。其參數設計兼顧性能與功耗，是一款適用于多種通用高性能電子設備的理想選擇。
