BSZ036NE2LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的額定漏極電流（ID），適合需要大電流與低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為4mΩ，能顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提高整體效率。器件采用高密度封裝，具備良好的散熱性能和穩(wěn)定性，適用于電源管理、電池充放電控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各類高效能開關(guān)電路。該MOSFET在設(shè)計(jì)上兼顧高電流承載能力與低損耗特性，適用于多種高性能電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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