BSZ036NE2LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的額定漏極電流（ID），適合需要大電流與低導通電阻的應用場景。其導通電阻（RDON）僅為4mΩ，能顯著降低導通狀態下的功率損耗，提高整體效率。器件采用高密度封裝，具備良好的散熱性能和穩定性，適用于電源管理、電池充放電控制、DC-DC轉換器以及各類高效能開關電路。該MOSFET在設計上兼顧高電流承載能力與低損耗特性，適用于多種高性能電子設備。
