BSZ036NE2LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有30V的漏源擊穿電壓(VDSS)和60A的額定漏極電流(ID),適合需要大電流與低導通電阻的應用場景。其導通電阻(RDON)僅為4mΩ,能顯著降低導通狀態下的功率損耗,提高整體效率。器件采用高密度封裝,具備良好的散熱性能和穩定性,適用于電源管理、電池充放電控制、DC-DC轉換器以及各類高效能開關電路。該MOSFET在設計上兼顧高電流承載能力與低損耗特性,適用于多種高性能電子設備。
