SMIRF4N65T9RL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:2400mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備650V的漏源耐壓（VDSS），可承載4A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為2400mΩ。該器件適用于開關電源、功率轉換器及高電壓控制電路，具備較高的擊穿電壓和良好的開關特性，適合用于對體積與效率有一定要求的中高壓電子系統設計中，支持多種常見拓撲結構的應用實現。
