DI030N03D1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和50A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率電子系統(tǒng)。導通電阻（RDON）為7.5mΩ，有助于降低導通損耗，提高能效。器件采用緊湊型封裝設計，具備良好的熱傳導性能與穩(wěn)定性，適用于電源轉換、負載開關、電池管理系統(tǒng)及高性能數(shù)字控制電路。其參數(shù)配置兼顧導通壓降與開關特性，適合用于對效率與空間布局有要求的通用電子設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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