SQD50P04-13L_T4GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備40V漏源電壓（VDSS）和50A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為10mΩ，確保在高負載條件下仍能保持較低的導通損耗。器件結構優化，具備良好的開關性能與熱穩定性，適用于各類中高功率電源系統、直流變換器、電池管理系統及電機控制電路。其高性能參數組合使其在復雜電路環境中可實現高效能與高可靠性運行。
