SQD50P04-13L_T4GE3-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備40V漏源電壓（VDSS）和50A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為10mΩ，確保在高負(fù)載條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具備良好的開(kāi)關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于各類中高功率電源系統(tǒng)、直流變換器、電池管理系統(tǒng)及電機(jī)控制電路。其高性能參數(shù)組合使其在復(fù)雜電路環(huán)境中可實(shí)現(xiàn)高效能與高可靠性運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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