DMNH6042SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有20A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源電壓（VDSS），適用于多種中高功率電路設計。導通電阻（RDON）低至27mΩ，有助于減少導通損耗，提高系統效率。器件具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于電源轉換、開關控制、電機驅動及各類電子負載管理場合。其性能參數支持高頻應用，適配多種常見電路拓撲結構，是一款通用性強、適用范圍廣的功率場效應管。
