DMNH6042SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:27mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有20A的連續漏極電流(ID)和60V的漏源電壓(VDSS),適用于多種中高功率電路設計。導通電阻(RDON)低至27mΩ,有助于減少導通損耗,提高系統效率。器件具備良好的熱穩定性和可靠性,適合用于電源轉換、開關控制、電機驅動及各類電子負載管理場合。其性能參數支持高頻應用,適配多種常見電路拓撲結構,是一款通用性強、適用范圍廣的功率場效應管。
