SVD5867NLT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:27mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有優異的導通性能和穩定性,適用于多種高效能場景。其主要參數包括:漏極電流ID為20A,漏源電壓VDSS為60V,導通電阻RDON低至27毫歐。低導通電阻有效降低功率損耗并提升系統效率,適合高頻率開關應用。廣泛用于電源管理、電機驅動、消費類電子及智能設備中,為電路設計提供可靠性和高性能支持。
