DMNH6042SK3Q-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A漏極電流（ID）與60V漏源擊穿電壓（VDSS），可滿足中高功率電路的開關需求。導通電阻（RDON）低至27mΩ，有效降低導通損耗，提升整體效率。器件采用通用封裝形式，具備良好的熱穩定性和耐用性，適用于各類電源轉換、電機控制、儲能系統及高性能電子設備中。其參數設計兼顧高頻響應與穩定性，適合多種電路拓撲結構，是一款性能優異且應用廣泛的功率器件。
