HUFA75321D3ST-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能表現(xiàn)，適用于多種高效能場景。其漏極電流ID可達20A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至27mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合應用于電源管理、開關(guān)電路、負載控制及高精度電子設(shè)備中。其參數(shù)設(shè)計兼顧了高頻響應與低功耗特性，能夠滿足多樣化電路設(shè)計需求，是一款性能均衡且適用范圍廣泛的功率器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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