IRLR3105TRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）采用先進(jìn)工藝制造，具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS達(dá)60V，導(dǎo)通電阻RDON低至27毫歐，適用于需要高效能功率管理的多種場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，支持快速開關(guān)操作，減少能量損耗，同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。可廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、消費(fèi)類電子及高性能計(jì)算設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊，為系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的運(yùn)行表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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