SQ2319ADS-T1_BE3-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:68mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款場效應(yīng)管（MOSFET）為P溝道增強型器件，支持5A連續(xù)漏極電流（ID），漏源耐壓（VDSS）為40V，適用于中低功率電源管理與開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為68mΩ，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。該器件廣泛應(yīng)用于各類小型電子設(shè)備中的電源控制、負載切換、電池管理和DC-DC轉(zhuǎn)換電路。憑借優(yōu)異的導(dǎo)電性能與穩(wěn)定的電氣特性，可滿足多種通用電路對效率與可靠性的基本要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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