HUF75321D3ST-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有良好的電性能和穩定性，適用于多種功率管理場景。其主要參數包括：最大漏極電流ID為20A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至27毫歐，有助于降低導通損耗并提升系統效率。器件采用成熟工藝制造，具備優良的開關特性和熱穩定性，適用于電源適配器、電池管理系統、智能家電及通信設備中的功率控制電路，滿足高性能與小型化設計需求。
