HUF75321D3ST-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:27mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有良好的電性能和穩定性,適用于多種功率管理場景。其主要參數包括:最大漏極電流ID為20A,漏源擊穿電壓VDSS為60V,導通電阻RDON低至27毫歐,有助于降低導通損耗并提升系統效率。器件采用成熟工藝制造,具備優良的開關特性和熱穩定性,適用于電源適配器、電池管理系統、智能家電及通信設備中的功率控制電路,滿足高性能與小型化設計需求。
