FDD5N50NZTM-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款場效應(yīng)管（MOSFET）采用N溝道結(jié)構(gòu)，具備5A的連續(xù)漏極電流（ID）和500V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于需要中高功率處理能力的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻（RDON）為1300mΩ，在同類器件中具有較好的導(dǎo)電性能，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件適用于多種電源管理及轉(zhuǎn)換場景，如開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及高精度電機控制電路等。憑借其穩(wěn)定的電氣特性和較高的耐壓能力，可滿足復(fù)雜電路環(huán)境中對性能與可靠性的基本需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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