FDD5N50NZTM-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:500V 參數3:RDON:1300mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管(MOSFET)采用N溝道結構,具備5A的連續漏極電流(ID)和500V的漏源擊穿電壓(VDSS),適用于需要中高功率處理能力的電路設計。其導通電阻(RDON)為1300mΩ,在同類器件中具有較好的導電性能,有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件適用于多種電源管理及轉換場景,如開關電源、DC-DC轉換器、負載開關以及高精度電機控制電路等。憑借其穩定的電氣特性和較高的耐壓能力,可滿足復雜電路環境中對性能與可靠性的基本需求。
