SI4932DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:10A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:12mR 參數4:溝道類型:N+N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款場效應管(MOSFET)采用NN溝道設計,具備良好的導通性能與高效的電流控制能力。其最大漏極電流ID為10A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,確保在中功率應用場景中的穩定性與可靠性。導通電阻RDON低至12mΩ,有助于降低導通損耗,提高系統效率。該器件適用于電源管理、開關電路、負載控制及便攜式設備中的高效能需求場景,提供緊湊且高效的解決方案。
