DMG4800LSDQ-13-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款場效應(yīng)管（MOSFET）采用NN溝道組合設(shè)計，具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其漏極電流ID可達10A，漏源電壓VDSS為30V，滿足中高功率場景需求。導(dǎo)通電阻RDON低至12mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及高性能計算設(shè)備中的高頻開關(guān)應(yīng)用，提供穩(wěn)定可靠的電氣性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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