DMG4800LSD-13-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具備優良的導通與開關特性。其漏極電流ID可達10A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中高功率電源管理應用。導通電阻RDON低至12mΩ，有效降低導通損耗，提高整體系統效率。該器件可廣泛用于電源轉換器、電機驅動模塊、電池保護電路及高性能數字控制設備中，提供穩定的電氣性能和良好的熱穩定性，滿足多種電子系統的設計需求。
