IRF8313TRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具備優良的導通與開關性能。其漏極電流ID可達10A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中高功率電源管理場合。導通電阻RDON低至12mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統整體效率。該器件可廣泛應用于各類電源轉換電路、電機驅動裝置、電池管理系統以及高性能數字控制電路中，提供穩定可靠的電氣表現和良好的熱穩定性。
